Лучшие автора конкурса
1. saleon@bk.ru (141)
4. patr1cia@i.ua (45)


Мир, в котором я живу:
Результат
Архив

Главная / Русские Рефераты / -*новый или неперечисленный*- / Алмазоподобные полупроводники


Алмазоподобные полупроводники - -*новый или неперечисленный*- - Скачать бесплатно


акцепторы,  в  качестве  которых   могут   выступать
вакансии  кадмия.  Концентрация   последних   возрастает   при   легировании
донорами. Соответственно возрастает и собственная фотопроводимость.  Высокой
фоточувствительностью обладают также образцы сульфида кадмия,  легированного
медью. При сильном  легировании  медью  доминирующую  роль  начинает  играть
примесная фотопроводимость, что находит отражение  в  смещение  спектральной
характеристики. (рис.5).
        Помимо   сульфида   кадмия    для    изготовления    фоторезисторов,
чувствительных  к  видимому  излучению,  используют   пленки   и   спеченные
порошкообразные соли СdSe.
       Узкозонные  полупроводники  типа   АIIВVIпредставляют   интерес   для
создания  приемников  далекого  ИК-излучения.  Особое  внимание   привлекают
твердые растворы
CdхHg  Te, спектр фоточувствительности которых перекрывает  атмосферное«окно
прозрачности» в области 8-14 мкм.
      Пленки из селенида и теллурида ртути,  благодаря  высокой  подвижности
электронов, применяют для изготовления высокочувствительных датчиков  Холла.
Высокая эффективность  излучательной  рекомбинации  в  полупроводниках  типа
АIIВVI позволяет  использовать  монокристаллы  этих  соединений  в  качестве
рабочего тела полупроводниковых лазеров, возбуждаемых электронным пучком.
        Синтез   и   выращивание    кристаллов.    Технология    выращивания
монокристаллов  полупроводниковых  соединений  АIIВVI   разработана  гораздо
менее полно, чем технология полупроводников типа  АIII  ВV   .  Широкозонные
полупроводники АII  ВVI   представляют  собой  в  технологическом  отношении
трудные  объекты,  так  как  обладают  высокими  температурами  плавления  и
высокими  давлениями  диссоциации  в  точке   плавления.   Синтез   исходных
соединений  А   В   ,  частности  порошка  для   люминофоров,   чаще   всего
осуществляется  по  реакциям  обменного  разложения,  протекающим  в  водной
среде.


  Так,  сульфид  цинка  осаждают  из   водного   раствора   сульфата   ZnSO4
пропусканием через него сероводорода H2S.
Для производства продуктов с малым  содержанием  окислов  синтез  проводится
путем  взаимодействия  соответствующих   металлов   II   группы    серо-   и
селеноводородом.  Выращивание  монокристаллов  тугоплавких  соединений  типа
АIIВVI   в   большинстве    случаев    осуществляется    перекристаллизацией
предварительно синтезированного соединения через паровую  фазу  в  запаянных
кварцевых ампулах.

         Твердые растворы на основе соединений АIII ВV  .  Твердые  растворы
существенно  расширить  по  сравнению  с  элементарными  полупроводниками  и
полупроводниковыми   соединениями   набор   электрофизических    параметров,
определяющих    возможности    применения    материалов     в     конкретных
полупроводниковых приборах.
      Среди алмазоподобных полупроводников, в том числе соединений типа А  В
,  распространены  твердые  растворы   замещения.   Необходимыми   условиями
образования   твердых   растворов   являются   кристаллохимическое   подобие
кристаллических  решеток  соединений-компонентов  и  близость  их   периодов
идентичности. Наиболее хорошо изучены тройные твердые  растворы,  в  которых
замещение происходит лишь по узлам одной из подрешеток бинарного  соединения
(металлической или металлоидной). Состав  таких  твердых  растворов  принято
характеризовать символами АхВ1-хС и АСуD1-у, где А и В  обозначают  элементы
III группы, а С  и  D-  элементы  V  группы.  В  формуле  АхВ1-хС  индекс  х
определяет мольную долю соединения  АВ  в  твердом  растворе.  Если  твердые
растворы существуют во всем диапазоне концентраций, то  х  может  изменяться
от  0  до  1.  В  тройных  твердых  растворах  имеет   место   статистически
неупорядоченное  распределение  атомов  замещаемых  компонентов   по   узлам
соответствующей  подрешетки.  С   изменением   состава   твердого   раствора
наблюдается  линейное  изменение  периода   кристаллической   решетки.   Эта
закономерность известна в кристаллохимии как закон  Вегарда.  Она  позволяет
определять состав твердого раствора по изменениям периода решетки с  помощью
дифракции рентгеновских лучей.
      Как в бинарных соединениях АIIIВV, в твердых растворах не  наблюдается
существенных отклонений от стехиометрии, поэтому  они  просты  по  механизму
легирования. Теми же методами, что и в бинарных  соединениях,  в  них  могут
быть  получены   электронно-дырочные   переходы.   Температурные   изменения
электрических   параметров   также   принципиально    не    отличаются    от
соответствующих зависимостей для соединений-партнеров.
      Особый интерес к твердым растворам  обусловлен  возможностью  плавного
управления шириной  запрещенной  зоны  полупроводников  путем  изменения  их
компонентного состава. Возможные  варианты  этих  зависимостей  показаны  на
рис.5
                                    [pic]


                               а)
                                    б)
  Рис.5 Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов на
                      основе соединений АIIIВV (Т=300К)
          а-соединения-партнеры имеют одинаковую зонную структуру;
        б-соединения-партнеры имеют различную зонную структуру.

Как видно из рисунка, зависимость  ширины  запрещенной  зоны  от  состава  в
некоторых системах твердых  растворов  (Gaу  In1-х  As;  InPу  As1-у)  очень
близка к линейной, но  может  и  существенно  отличаться  от  нее,  проявляя
экстремум  или  излом  при  определенном  соотношении  между   компонентами.
Конкретный  характер  зависимости  во  многом  определяется   типом   зонной
структуры соединений-партнеров, т. е. положением
 их энергетических долин в
пространстве квазиимпульсов (k-пространстве).
 В частности, излом зависимости ?Э(х)
наблюдается в тех системах твердых
растворах, в которых исходные
бинарные соединения имеют зонные
структуры различных типов, т. е.
различное расположение главных
энергетических минимумов зоны проводимости
 в k-пространстве.
      Подвижность носителей заряда
 в полупроводниковых твердых растворах
 в основном ограничивается теми же факторами,
что и в бинарных соединениях. Подтверждение
этому могут служить зависимости, показанные
на рис.6.



                           Рис.6 Зависимость под-

                 вижности  электронов в твер-

                 дых растворах GaхIn1-хSb и

                 InPуAs1-у от состава (Т=300К)



Отсутствие экстремума в ходе кривых указывает на то, что в  общем  механизме
рассеяния носителей заряда доля рассеяния на статистических  неоднородностях
структуры материала относительно мала. В  противном  случае  должен  был  бы
наблюдаться минимум подвижности носителей для твердых растворов с  составом,
близким к х=0,5. Отмеченная  закономерность  в  поведении  носителей  заряда
отличает полупроводниковые твердые  растворы  от  металлических  сплавов,  в
которых рассеяние электронов  на  статистических  неоднородностях  структуру
играет весьма существенную роль.
      Вместе с тем, как и в металлических сплавах,  эффекты  статистического
разупорядочения в  кристаллической  решетке  оказывают  сильное  влияние  на
удельную  теплопроводность  полупроводников,  которая  у  твердых  растворах
оказывается заметно ниже, чем у бинарных  соединений.  Например,  у  твердых
растворов GaAs0,5P0,5  и  Al0,5Ga0,5As  значение  удельной  теплопроводности
примерно на порядок меньше, чем у чистых кристаллов GaAs.
      Изменение ширины запрещенной зоны у твердых  растворов  сопровождается
соответствующим смещением спектров  оптического  поглощения  и  пропускания,
люминесценции  и  фоточувствительности.  С   изменением   состава   твердого
раствора изменяются  значения  диэлектрической  проницаемости  и  показателя
преломления, происходит смещение примесных энергетических  уровней.  В  ряде
систем  при  определенном  соотношении  между  компонентами  можно  получить
качественное новое сочетание свойств. Так, в твердых растворах  GaAs1-уPу  и
AlхGa1-хAs (с х и  у  порядка  0,3  ч  0,4)  сочетаются  достаточно  широкая
запрещенная  зона  (  ?Э>1,7эВ)  с  высоким  квантовыми  выходом   межзонной
излучательной  рекомбинации.  Такие  материалы   используют   для   создания
эффективных    электролюминесцентных    источников    красного     излучения
(светодиодов и лазеров). Твердые растворы
GaхIn1-хP c х=0,5-0,7 обладают эффективной  люминесценцией  в  желто-зеленой
области спектра.
      Получение однородных твердых растворов заданного состава  представляет
собой   весьма   трудную   технологическую   задачу.    Обычными    методами
кристаллизации из расплава  в  лучшем  случае  удается  получать  однородные
поликристаллические  слитки.  Монокристаллические  слои  твердых  растворов,
используемых  в  приборных  структурах,  осаждают   исключительно   методами
эпитаксии. Эпитаксию твердых растворов GaAs1-уPу осуществляют  на  подложках
GaAs или GaP с помощью химических реакций, протекающих в газовой фазе. В  то
же время наиболее совершенные эпитаксиальные слои AlхGa1-хAs, AlхGa1-хSb,
  GaхIn1-хAs,  GaхIn1-хP   получают   методом   жидкофазовой   эпитаксии   с
использованием галлия или индия в качестве растворителя.
        Твердые   растворы   открывают    широкие    возможности    создания
гетеропереходов и  приборов  на  их  основе.  Под  гетеропереходом  понимают
контакт двух полупроводников  с  различной  шириной  запрещенной  зоны.  Для
получения  гетеропереходов  со  свойствами  идеального  контакта  необходимо
выполнить   ряд   условий   совместимости   материалов   по    механическим,
кристаллохимическим и термическим свойствам. Решающим критерием  при  выборе
материалов   контактной   пары    является    соответствие    периодов    их
кристаллических решеток и температурных коэффициентов линейного  расширения.
Если  компоненты  гетерпары  обладают  взаимной   растворимостью   во   всем
интервале  концентраций,  то  появляется  уникальная  возможность  создавать
гетеропереходы между химическим соединением АС и твердым раствором
АхВ1-хС  на  его  основе.  Это  обстоятельство  позволяет  плавно   изменять
свойства материалов на контактной границе, что важно при  изготовлении  ряда
приборов  оптоэлектроники  и  прежде  всего  –   источников   и   приемников
излучения. Среди полупроводников  типа  АIIIВVнаилучшими  парами  материалов
для создания идеальных гетеропереходов являются  системы  GaAs-AlхGa1-хAs  и
GaSb-AlхGa1-хSb.
Преимущества указанных гетеропар заключаются в том, что период решетки
твердых растворов AlхGa1-хAs и  AlхGa1-х Sb слабо зависит от состава и
близок к периоду решетки бинарного соединения (собственно GaAs и  GaSb).
       Дополнительные   степени   свободы   для   варьирования   параметрами
сопрягаемых   полупроводниковых   материалов   при    получении    идеальных
гетеропереходов  возникают  при  использовании  четырехкомпонентных  твердых
растворов  типа  АхВ1-хСуД1-у.  Среди  этой   группы   материалов   наиболее
интересными  и  изученными  являются  твердые  растворы  GaхIn1-хAs1-уPу,  в
которых имеет место замещение по  обеим  подрешеткам  при  сохранении  общей
стехиометрии,  т.  е.  равенство  суммарных  количеств  атомов   металла   и
металлоида. В качестве исходных компонентов такого твердого  раствора  можно
рассматривать четыре бинарных соединения: GaP,  InP,  GaAs  и  InAs.  Особый
интерес представляют твердые растворы GaхIn  1-хAs1-уPу  с  изопериодическим
замещением по отношению к InP. В зависимости от состава их запрещенная  зона
может изменяться в пределах от 0,75 до 1,35 эВ.
       Инжекционные  лазеры  на  основе  гетерпары  InP-  Ga   In    As    P
переспективны для применения в волоконно-оптических линиях связи,  поскольку
спектральный диапазон  их  излучения  соответствует  минимальным  оптическим
потерям кварцевого волокна.



                                 Заключение.

      Таким образом, мы видим, что уже сейчас полупроводники нашли себе  ряд
важнейших применений и что область их практического применения непрерывно  и
быстро расширяется. Физика твердого тела, особенно  физика  полупроводников,
оказала в последнее время заметное влияние на электронику,  и,  по-видимому,
в течение ближайших лет полупроводниковые  приборы  будут  занимать  ведущее
положение в этой области. Многие устройства, скорее  всего,  будут  заменены
новыми, где будут использованы приборы из высококачественных  монокристаллов
того или иного полупроводника.



                           Используемая литература

      1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники.- М.:
Высшая школа, 1986.
      2. Пасынков В.В. Материалы электронной техники.- М.: Высшая школа,
1980.
      3. Ортмонд Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию
полупроводников./Под ред. В.М. Глазова.- М.: Высшая школа, 1982.
      4.Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников.- М.:
Наука,1977.
       5. Горелик С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и
металловедение.- М. Металлургия, 1973.
       6. Справочник по электротехническим материалам. /Под ред.Ю. В.
Корицкого,
В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. – М. : Энергия,1974.
       7. Электрорадиоматериалы. /Под ред. Б.М. Тареева.- М.: Высшая
школа,1978.
 

назад |  2 | вперед


Назад
 


Новые поступления

Украинский Зеленый Портал Рефератик создан с целью поуляризации украинской культуры и облегчения поиска учебных материалов для украинских школьников, а также студентов и аспирантов украинских ВУЗов. Все материалы, опубликованные на сайте взяты из открытых источников. Однако, следует помнить, что тексты, опубликованных работ в первую очередь принадлежат их авторам. Используя материалы, размещенные на сайте, пожалуйста, давайте ссылку на название публикации и ее автора.

© il.lusion,2007г.
Карта сайта
  
  
 
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов Союз образовательных сайтов