23.05 18:10Николь Ричи наградили за ее родительские качества[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 18:02Наоми Кэмпбелл отпраздновала 38-й день рождения[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:25Серегу избили хулиганы[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:24У Сергея Зверева украли стринги[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:12Режиссер Сергей Соловьев госпитализирован[Film.Ru]
23.05 16:31Объявлены члены жюри конкурса ММКФ "Перспективы"[Film.Ru]
23.05 16:06Одесская киностудия снимает детективную мелодраму "Героиня своего романа" [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:04Топ-50 самых красивых мужчин мира: украинец - второй[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:03Лорак едва не осталась на "Евровидении" без платья[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:00Ани Лорак вышла в финал "Евровидения-2008". [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
Вы:
Результат
Архив

Главная / Предметы / Радиоэлектроника / УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА


УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА - Радиоэлектроника - Скачать бесплатно


Министерство образования Российской Федерации


                     ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
                  СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)


             Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)



                             УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО
                       БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА



           Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине

                             Схемотехника и АЭУ



                                 Студент гр. 148-3

                                                     __________Воронцов С.А.

                                 24.04.2001

                                 Руководитель


                                    Доцент кафедры РЗИ

                                                     _____________Титов А.А.

                                   _____________



                                    2001
                                   Реферат

     Курсовой проект  18 с., 11 рис., 1 табл.
     КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ (Кu), АМПЛИТУДНОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (АЧХ),
ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЁМКОСТИ, ДРОССЕЛИ, КОМБИНИРОВАННЫЕ
ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ.
     Объектом проектирования  является  проектирование  усилителя  приёмного
блока  широкополосного  локатора.  Цель  работы   –   приобретение   навыков
аналитического расчёта усилителя по заданным к нему требованиям. В  процессе
работы  производился  аналитический  расчёт  усилителя   и   вариантов   его
исполнения,   при   этом    был    произведён    анализ    различных    схем
термостабилизации, рассчитаны эквивалентные модели транзистора,  рассмотрены
варианты коллекторной цепи транзистора.
     В результате расчета был разработан широкополосный усилитель с
заданными требованиями.
   Полученный  усилитель  может  быть  использован  как  усилитель  высокой
частоты
в приёмных устройствах.
   Курсовая работа выполнена в текстовом редакторе Microsoft Word 7.0.
                             ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

    на курсовое проектирование по курсу “Аналоговые электронные устройства”
    студент гр. 148-3 Воронцов С.А.
Тема проекта: Усилитель приёмного блока широкополосного локатора.
Исходные данные для проектирования аналогового устройства.
1. Диапазон частот от 100 МГц до 400 МГц.
2. Допустимые частотные искажения Мн 3 dB, МВ 3 dB.
3. Коэффициент усиления 15 dB.
4. Сопротивление источника сигнала 50 Ом.
5. Амплитуда напряжения на выходе 1 В.
6. Характер и величина нагрузки 50 Ом.
7. Условия эксплуатации (+10  +50)єС.
8. Дополнительные требования: согласование усилителя по входу и выходу.
                                 Содержание

1 Введение  ------------------------------------------ ---------------------
--------  5
2 Основная часть  ----------------------------------------------------------
------  6
2.1 Анализ исходных данных -------------------------------------------------
- 6
2.2 Расчёт оконечного каскада  ---------------------------------------------
--  6
2.2.1 Расчёт рабочей точки -------------------------------------------------
---  6
2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора  -------------  9
2.2.2.1 Расчёт параметров схемы Джиаколетто    -------------------------- 9
2.2.2.2 Расчёт однонаправленной модели транзистора  ------------------  9
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации  --------------------------10
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация  --------------------------------------
10
2.2.3.2 Пассивная коллекторная  --------------------------------------------
-- 11
2.2.3.3 Активная коллекторная  ---------------------------------------------
-- 12
3 Расчёт входного каскада по постоянному току  ------------------------  13
3.1 Выбор рабочей точки  ---------------------------------------------------
---  13
3.2 Выбор транзистора  -----------------------------------------------------
----  13
3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора-------------------------------
14
3.3.1 Расчёт цепи термостабилизации-----------------------------------------
14
4.1  Расчёт полосы пропускания выходного каскада-----------------------15
4.2. Расчёт полосы пропускания входного каскада------------------------ 17
5     Расчёт ёмкостей и дросселей  -----------------------------------------
----18
6   Заключение   -----------------------------------------------------------
---------20
7 Список использованных источников----------------------------------------
21


1 Введение

 Цель работы – приобретение навыков аналитического расчёта широкополосного
усилителя по заданным к нему требованиям.
    Всё более широкие сферы деятельности человека  не  могут  обойтись  без
радиолокации. Следовательно, к устройствам  радиолокации  предъявляются  всё
более жёсткие требования. В  первую  очередь  это  хорошее  согласование  по
входу и  выходу,  хорошая  повторяемость  характеристик  усилителей  при  их
производстве, без необходимости подстройки, миниатюризация.
       Всеми   перечисленными   выше   свойствами   обладают   усилители   с
отрицательными  комбинированными  обратными  связями  [1],  что  достигается
благодаря   совместному   использованию    последовательной    местной     и
параллельной обратной связи по напряжению

    2 Основная часть

    2.1 Анализ исходных данных

    Исходя из условий технического задания, наиболее оптимальным вариантом
решения моей задачи будет применение комбинированной обратной связи.[2]
    Вследствие того, что у нас будут комбинированные обратные связи,
которые нам дадут хорошее согласование по входу и выходу, в них будет
теряться 1/2 выходного напряжения, то возьмём Uвых в 2 раза больше
заданного, т.е. 2В.

  2.2 Расчёт оконечного каскада

    2.2.1 Расчёт рабочей точки

Возьмём Uвых   в 2 раза больше чем заданное, так как часть выходной
мощности теряется на ООС.[2]
Uвых=2Uвых(заданного)=2 (В)
Расчитаем выходной ток:
Iвых=[pic]=[pic]=0,04 (А)
Расчитаем каскады с резистором и индуктивностью в цепи коллектора:
Расчёт резистивного каскада при условии Rн=Rк=50 (Ом) рис(2.2.1.1).

Рисунок 2.2.1.1- Резистивный каскад           Рисунок 2.2.1.2- Нагрузочные
прямые.
                           по переменному току.
Расчитаем выходной ток для каскада с резистором в цепи коллектора:
Iвых~=[pic]=[pic]=0,08 (А)
Расчитаем ток и напряжение в рабочей точке:
Uкэ0=Uвых+Uост, Uост примем равным 2В.
                                              (2.2.1)
Iк0=Iвых~+0,1Iвых~
                                                         (2.2.2)
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,088 (А)
Расчитаем выходную мощность:
Pвых=[pic]=[pic]=0,04 (Вт)
Напряжение питания тогда будет:
Eп=Uкэ0+URк=Uкэ0+ Iк0(Rк=7,4 (В)
Найдём потребляемую и рассеиваемую мощность:
Pрасс=Uкэ0(Iк0=0,264 (Вт)
Рпотр= Eп(Iк0=0,651(Вт)
Для того чтобы больше мощности шло в нагрузку, в цепь коллектора включаем
дроссель.[2]
Расчёт каскада при условии что в цепь коллектора включен Lк рис(2.2.1.3).
Рисунок 2.2.1.3- Индуктивный каскад           Рисунок 2.2.1.4- Нагрузочные
прямые.
                            по переменному току.
Расчитаем выходной ток для каскада с индуктивностью в цепи коллектора:
Iвых=[pic] =[pic]=0,04 (А)
По формулам (2.2.1) и (2.2.2) расчитаем рабочую точку.
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,044 (А)
Найдём напряжение питания, выходную, потребляемую и рассеиваемую мощность:
Pвых=[pic]=[pic]=0,04 (Вт)
Eп=Uкэ0=3 (В)
Рк расс=Uкэ0(Iк0=0,132 (Вт)
Рпотр= Eп(Iк0=0,132 (Вт)
|         |         |Ррасс,(Вт|Рпотр,(Вт|         |
|         |Еп,(В)   |)        |)        |Iк0,(А)  |
|С Rк     |      7,4|   0,264 |  0,651  |  0,088  |
|С Lк     |       3 |   0,132 |    0,132|  0,044  |


Таблица 2.2.1.1- Характеристики вариантов схем коллекторной цепи
    Из  энергетического  расчёта  усилителя   видно,   что   целесообразнее
использовать каскад с индуктивностью в цепи коллектора.
    Выбор  транзистора  осуществляется  с   учётом   следующих   предельных
параметров:
        1. граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
    [pic];
        2. предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер
    [pic];
1. предельно допустимого тока коллектора
    [pic];
4. предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
    [pic].
    Этим  требованиям  полностью  соответствует  транзистор   КТ996А.   Его
основные технические характеристики приведены ниже.
    Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
4. Ёмкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ;
5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
    Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
2. Постоянный ток коллектора [pic]мА;
        3.          Постоянная рассеиваемая мощность коллектора [pic] Вт;

    2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора.

    2.2.2.1Расчёт параметров схемы Джиаколетто.
 Рисунок 2.2.2.1.1- Эквивалентная схема биполярного
                                 транзистора (схема Джиаколетто).
Найдём параметры всех элементов схемы:[2]
Пересчитаем ёмкость коллектора из паспортной:
Ск(треб)=Ск(пасп)*[pic]=1,6([pic]=2,92 (пФ)
Найдём gб=[pic], причём  rб= [pic]:
rб= [pic]=2,875 (Ом); gб=[pic]=0,347 (Cм);
Для нахождения rэ воспользуемся формулой rэ=[pic], где Iк0 в мА:
 rэ=[pic] =1,043 (Ом);
Найдём оставшиеся элементы схемы
gбэ=[pic]=0,017,где Я0=55 по справочнику;
Cэ=[pic]=30,5 (пФ),где fТ=5000Мгц по справочнику;
Ri= [pic]=100 (Ом), gi=0.01(См),где Uкэ(доп)=20В Iко(доп)=200мА.

    2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области высоких частот.
Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора.
    Параметры эквивалентной схемы расчитываются по приведённым ниже
формулам.[2]
    Входная индуктивность:
    [pic],
                (2.2.2.1)
    где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.
    Входное сопротивление:
    [pic],
                       (2.2.2.2)
    где [pic], причём [pic], [pic]и [pic] – справочные данные.
    Выходное сопротивление:
    [pic].
                (2.2.2.3)
    Выходная ёмкость:
    [pic].                                                        (2.2.2.4)
    В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов
эквивалентной схемы:
Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн);
Rвх=rб=2,875 (Ом);
Rвых=Ri=100 (Ом);
Свых=Ск(треб)=2,92 (пФ);
fmax=fт=5 (ГГц)

    2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.

    2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.
   Эмитерная термостабилизация широко используется в маломощных каскадах,
так как потери мощности в ней при этом не значительны и её простота
исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо стабилизирует ток
коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на эмиттере более
3В.[1]
Рисунок 2.2.3.1.1- Каскад с эмитерной термостабилизацией.

Рассчитаем параметры элементов данной схемы.
Uэ=4 (В);
Eп=Uкэ0+Uэ=7 (В);
Rэ=[pic] =[pic]=90,91 (Ом);
Rб1=[pic], Iд=10(Iб, Iб=[pic], Iд=10([pic] =10([pic]=0,008 (А);
Rб1=[pic]=264,1 (Ом);
Rб2=[pic] =534,1 (Ом).
Наряду с эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная
коллекторная термостабилизации.[1]

2.2.3.2Пассивная коллекторная термостабилизация:

Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в точке
А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться
дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение в
точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико,
что оправдывается только в маломощных каскадах[1].
Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной коллекторной термостабилизации
Rк=[pic]=159.1(Ом);
URк=7 (В);
Eп=Uкэ0+URк=10 (В);
Iб=[pic]=0.0008(А);
Rб=[pic] =2875 (Ом).

    2.2.3.3 Активная коллекторная термостабилизация.

Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения в точке А см.
рис.(2.2.3.2.1). Получим что при незначительном уменьшении (увеличении)
тока коллектора значительно увеличится (уменьшится) ток базы. И вместо
большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало порядка 1В см.
рис.(2.2.3.3.1).[1]
((=100;
Rк=[pic]=[pic]=22,73 (Ом);
Eп=Uкэ0+UR=4 (В);
Iд2=10(Iб2=10([pic]=0.00008 (A);
R3=[pic]=28,75 (кОм);
R1=[pic]=21,25 (кОм);
R2=[pic]=4.75 (кОм).
Рисунок 2.2.3.3.1- Активная коллекторная термостабилизация.

      Данная схема требует значительное количество дополнительных
элементов, в том числе и активных. Если Сф утратит свои свойства, то каскад
самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать.Основываясь на
проведённом выше анализе схем термостабилизации выберем эмитерную.

                       3 Расчёт входного каскада по постоянному току

    3.1 Выбор рабочей точки

    При расчёте требуемого  режима  транзистора  промежуточных  и  входного
каскадов  по  постоянному  току  следует  ориентироваться  на   соотношения,
приведённые в пункте 2.2.1 с учётом того, что [pic]  заменяется  на  входное
сопротивление  последующего  каскада.  Но,  при  малосигнальном  режиме,  за
основу можно брать типовой режим транзистора (обычно  для  маломощных  ВЧ  и
СВЧ транзисторов [pic]  мА  и  [pic]В).  Поэтому  координаты  рабочей  точки
выберем следующие [pic]мА,  [pic]В.  Мощность,  рассеиваемая  на  коллекторе
[pic]мВт.

    3.2 Выбор транзистора

    Выбор  транзистора  осуществляется  в  соответствии   с   требованиями,
приведенными в пункте 2.2.1. Этим требованиям отвечает  транзистор  КТ3115А-
2. Его основные технические характеристики приведены ниже.
    Электрические параметры:
     1. граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]ГГц;
     2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс;
     3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
     4. Ёмкость коллекторного перехода при  [pic]В [pic]пФ;
     5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
     6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
     7. Ёмкость эмиттерного перехода  [pic]пФ;
    Предельные эксплуатационные данные:
     1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
     2. Постоянный ток коллектора [pic]мА;
     3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора [pic] Вт;

    3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора

    Эквивалентная схема имеет тот же вид, что  и  схема  представленная  на
рисунке 2.2.2.2.1 Расчёт её элементов производится по формулам,  приведённым
в пункте     2.2.2.1
    [pic]нГн;
    [pic]пФ;
    [pic]Ом
    [pic]Ом;
    [pic]Ом;
    [pic]пФ.

    3.3 Расчёт цепи термостабилизации

    Для входного каскада также выбрана эмиттерная термостабилизация,  схема
которой приведена на рисунке 3.3.1.

                   [pic]
                            Рисунок 3.3.1

    Метод расчёта схемы идентичен приведённому в пункте     2.2.3.1 с той
лишь особенностью что присутствует, как видно из рисунка, сопротивление в
цепи коллектора [pic]. Эта схема термостабильна при [pic]В и [pic] мА.
Напряжение питания рассчитывается по формуле [pic]В.
    Расчитывая элементы получим:
    [pic]Ом;
    [pic]кОм;
    [pic]кОм;

    4.1 Расчет полосы пропускания выходного каскада

    Поскольку мы будем использовать комбинированные обратные [1], то все
соответствующие элементы схемы будут одинаковы, т.е. по сути дела расчёт
всего усилителя сводится к расчёту одного каскада.

    [pic]

    Рисунок 2.3.1 - Схема каскада с комбинированной ООС

    Достоинством схемы является то, что при условиях
    [pic] и [pic]      (4.1.1)
схема оказывается согласованной по входу и выходу с  КСВН  не  более  1,3  в
диапазоне частот, где выполняется  условие  [pic](0,7.  Поэтому  практически
отсутствует взаимное влияние каскадов друг на друга  при  их  каскадировании
[6].
    При выполнении условия (1.53), коэффициент усиления каскада  в  области
верхних частот описывается выражением:
    [pic], (4.1.2)
где [pic];  (4.1.3)
      [pic];
    [pic].
    Из (2.3.1), (2.3.3) не трудно получить, что при заданном значении [pic]
    [pic]. (4.1.4)
    При заданном значении [pic], [pic] каскада равна:
    [pic], (4.1.5)
где [pic].
    Нагружающие ООС  уменьшают  максимальную  амплитуду  выходного  сигнала
[pic] каскада, в котором они используются на величину
    [pic].
    При выборе   [pic] и [pic] из (4.1.3), ощущаемое сопротивление нагрузки
транзистора каскада с комбинированной ООС равно [pic].
    Расчёт Kо:

Для реализации усилителя используем четыре каскада. В этом случае
коэффициент усиления на один каскад будет составлять:
Ко=[pic]=4.5дБ или 1.6 раза
[pic] (Ом);
Rэ=[pic] (Ом);
[pic];
[pic];
Общий уровень частотных искажений равен 3 дБ, то Yв для одного каскада
примем равным:
[pic];
[pic];
Подставляя все данные в (4.1.5) находим fв:
Рисунок 4.1.1- Усилитель приёмного блока широкополосного локатора  на
четырёх каскадах.

    4.2. Расчёт полосы пропускания входного каскада

Все расчёты ведутся таким же образом, как и в пункте 4.1 с той лишь
разницей что берутся данные для транзистора КТ3115А-2.Этот транзистор
является маломощным,
тем самым, применив его в первых трёх каскадах, где уровень выходного
сигнала небольшой, мы добьемся меньших потерь мощности.
[pic] (Ом);
Rэ=[pic] (Ом);
[pic];
[pic];
Так каr в усилителе 4 каскада и общий уровень частотных искажений равен 3
дБ, то Yв для одного каскада примем равным:
[pic];
[pic];
Подставляя все данные в (4.1.5) находим fв:
[pic],
Все требования к усилителю выполнены

5 Расчёт ёмкостей и дросселей.

    Проводимый ниже расчёт основан на [2].
[pic][pic][pic] (нФ);
[pic][pic][pic] (мкГн);
На нижних частотах неравномерность АЧХ обусловлена ёмкостями Ср и Сэ,
поэтому пусть 1,5 dB вносят Ср и столько же Сэ.
[pic] , где
               (5.1)
 R1 и R2 сопротивления соответственно слева и справа от Ср
 Yн допустимые искажения вносимые одной ёмкостью.
[pic] (dB), [pic] (раз), для Ср1 и [pic] (раз), для Сэ.
R1=Rвых(каскада), R2=Rвх(каскада)=Rн=50 (Ом), для Ср1 (межкаскадной),
R1=Rг=Rвых(3-го каскада)=50 (Ом), R2=Rвх(каскада)=Rн=50 (Ом), для Ср2,
[pic],
[pic], [pic],
[pic],
[pic] (Ом),
По формуле (2.4.1) рассчитаем Ср.
[pic] (пФ),
[pic] (пФ),
[pic],
[pic],
[pic] (нс),
[pic] (нФ).

|                                                                                
|
|                                                                                
|
|  |   |          |     |    |                                                  
|
|  |   |          |     |    |РТФ КП 468730.001.ПЗ                              
|
|  |   |          |     |    |                                                  
|
|  |   |          |     |    |усилитель приёмного       |Лит  |Масса |Масштаб  |
|Из|Лис|Nдокум.   |Подп.|Дата|блока широкополосного     | | | |      |         |
|м |т  |          |     |    |                          | | | |      |         |
|Выполн|Воронцов  |     |    |локатора                  | | | |      |         |
|ил    |          |     |    |                          | | | |      |         |
|Провер|Титов     |     |    |                          | | | |      |         |
|ил    |          |     |    |                          | | | |      |         |
|      |          |     |    |                          |Лист     |Листов       |
|      |          |     |    |                          |ТУСУР РТФ              
|
|      |          |     |    |Принципиальная            |Кафедра РЗИ            
|
|      |          |     |    |схема                     |гр. 148-3              
|
|С1,С13 |КД-2-60 пФ(10%                      |2  |                              
|
|Позиция|Наименование                        |Кол|Примечание                    
|
|       |                                    |   |                              
|
|Обозн. |                                    |   |                              
|
|       |Конденсаторы ОЖ0.460.203 ТУ         |   |                              
|
|С2,С5, |КД-2-1200 пФ(10%                    |4  |                              
|
|С8,С11 |                                    |   |                              
|
|С3,С6  |КД-2-0.3 нФ(10                      |4  |                              
|
|С9,С12 |                                    |   |                              
|
|С4,С7, |КД-2-33 пФ(10%                      |3  |                              
|
|С10    |                                    |   |                              
|
|       |                  

назад |  1  | вперед


Назад
 


Новые поступления

Украинский Зеленый Портал Рефератик создан с целью поуляризации украинской культуры и облегчения поиска учебных материалов для украинских школьников, а также студентов и аспирантов украинских ВУЗов. Все материалы, опубликованные на сайте взяты из открытых источников. Однако, следует помнить, что тексты, опубликованных работ в первую очередь принадлежат их авторам. Используя материалы, размещенные на сайте, пожалуйста, давайте ссылку на название публикации и ее автора.

281311062 (руководитель проекта)
401699789 (заказ работ)
© il.lusion,2007г.
Карта сайта
  
  
 
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов Союз образовательных сайтов