23.05 18:10Николь Ричи наградили за ее родительские качества[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 18:02Наоми Кэмпбелл отпраздновала 38-й день рождения[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:25Серегу избили хулиганы[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:24У Сергея Зверева украли стринги[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:12Режиссер Сергей Соловьев госпитализирован[Film.Ru]
23.05 16:31Объявлены члены жюри конкурса ММКФ "Перспективы"[Film.Ru]
23.05 16:06Одесская киностудия снимает детективную мелодраму "Героиня своего романа" [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:04Топ-50 самых красивых мужчин мира: украинец - второй[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:03Лорак едва не осталась на "Евровидении" без платья[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:00Ани Лорак вышла в финал "Евровидения-2008". [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
Вы:
Результат
Архив

Главная / Предметы / Радиоэлектроника / Туннелирование в микроэлектронике


Туннелирование в микроэлектронике - Радиоэлектроника - Скачать бесплатно


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ

                   БЕЛАРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
                       ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ

                                Кафедра химии

                   Факультет компьютерного проектирования



                               КУРСОВАЯ РАБОТА


   по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и
                                    ЭВС»
                                   на тему:
                  «ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ     »



Выполнил:
                                                         Приняла:
студент                              гр.                              910204
                                                   Забелина И. А.
Шпаковский В.А.



                                Минск 2001 г.



                                 СОДЕРЖАНИЕ


      стр.
 1.  Туннельный эффект……………………………………………………………………………3
  2.  ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
 2.1  Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5
 2.2  Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8
 2.3  Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10
 2.4  Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12
 2.5  Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13
 2.6  Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….15
 3     Туннельный диод…..…………………………………………………………………………17
 Литература………………………………………………………………………………………….20



                            1. Туннельный эффект

   Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер.
 Пусть  частица,  движущаяся  слева  направо,  встречает  на   своём   пути
 потенциальный барьер высоты U0 и ширины  l  (рис.  1.1).  По  классическим
 представлениям движение частицы будет таким:
          U(x)                                             -  если  энергия
 частицы       будет       больше       высоты       барьера        (E>U0),


                                                                то  частица
 беспрепятственно            проходит            над              барьером;



                                                                          U0
     -   если   же   энергия   частицы   будет   меньше    высоты    барьера

  E                                                           (EU0     имеется     отличная     от      ну-

                 0                l              x          ля  вероятность
  того,      что       частица      отразится       от       потенциального

   Рис.1.1 Прохождение частицы      барьера и полетит  обратно.  Во-вторых,
  при  E<0,
 (1.7)
                                                  [pic]   при x>0
 (1.8)
  Слагаемое   [pic] соответствует волне, распространяющейся в области  I  в
 направлении оси х, А1- амплитуда этой волны. Слагаемое [pic] соответствует
 волне, распространяющейся в области I в  направлении,  противоположном  х.
 Это волна, отражённая от  барьера,  В1-  амплитуда  этой  волны.  Так  как
 вероятность нахождения микрочастицы в  том  или  ином  месте  пространства
 пропорциональна квадрату амплитуды волны де Бройля,  то  отношение   [pic]
 представляет собой коэффициент отражения микрочастицы от барьера.
  Слагаемое [pic] соответствует волне, распространяющейся в  области  II  в
 направлении  х.  Квадрат  амплитуды  этой   волны   отражает   вероятность
 проникновения микрочастицы в область  II.  Отношение  [pic]   представляет
 собой коэффициент прозрачности барьера.
  Слагаемое    [pic]    должно    соответствовать     отражённой     волне,
 распространяющейся в области II. Так как такой волны нет,  то  В2  следует
 положить равным нулю.
  Для барьера, высота которого U>E, волновой  вектор  k2  является  мнимым.
 Положим его равным ik, где [pic]  является  действительным  числом.  Тогда
 волновые функции [pic] и [pic] приобретут следующий вид:[pic]
                                                                      [pic]
   (1.9)
                                                                      [pic]
                 (1.10)
  Так как [pic], то  это  значит,  что  имеется  вероятность  проникновения
 микрочастицы на некоторую глубину   во  вторую  область.  Эта  вероятность
 пропорциональна квадрату модуля волновой функции [pic]:
                                                                     [pic].
 (1.11)
 Наличие этой вероятности делает возможным прохождение  микрочастиц  сквозь
 потенциальный барьер конечной толщины l  (рис.  1.1).  Такое  просачивание
 получило название  туннельного  эффекта.  По  формуле  (1.11)  коэффициент
 прозрачности такого барьера будет равен:
                                                                     [pic],
         (1.12)
 где D0 –  коэффициент  пропорциональности,  зависящий  от  формы  барьера.
 Особенностью  туннельного  эффекта  является  то,   что   при   туннельном
 просачивании сквозь потенциальный барьер энергия микрочастиц не  меняется:
 они покидают барьер с той же энергией, с какой в него входят.
  Туннельный  эффект  играет  большую  роль  в  электронных  приборах.   Он
 обуславливает  протекание  таких  явлений,  как  эмиссия  электронов   под
 действием сильного поля, прохождение тока  через  диэлектрические  плёнки,
 пробой  p-n  перехода;   на   его   основе   созданы   туннельные   диоды,
 разрабатываются активные плёночные элементы.



                          2.1 КОНТАКТ МЕТАЛЛ-МЕТАЛЛ

  Рассмотрим плотный контакт двух металлов  М1  и  М2  с  разными  работами
 выхода А1 и А2 (рис. 2.1.1).
                                                              A1
                     A2



                                       EF1                             n21

                                                                      n12
EF2
                                                                        d



                                                      M1
          M2

        Рис. 2.1.1  Энергетическая диаграмма контакта двух металлов в
                          начальный момент времени


  Вследствие того, что уровень  Ферми  EF1  в  М1  (уровень  Ферми  это  то
 значение энергии уровня, выше которого значения энергии электрон принимать
 не может при Т=0 К) находится выше, чем EF2 в М2,  соответствующие  работы
 выхода А1<эээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээээ

ээад |  1  | вперед


Назад
 


Новые поступления

Украинский Зеленый Портал Рефератик создан с целью поуляризации украинской культуры и облегчения поиска учебных материалов для украинских школьников, а также студентов и аспирантов украинских ВУЗов. Все материалы, опубликованные на сайте взяты из открытых источников. Однако, следует помнить, что тексты, опубликованных работ в первую очередь принадлежат их авторам. Используя материалы, размещенные на сайте, пожалуйста, давайте ссылку на название публикации и ее автора.

281311062 (руководитель проекта)
401699789 (заказ работ)
© il.lusion,2007г.
Карта сайта
  
  
 
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов Союз образовательных сайтов