Лабораторные по проектированию РЭС - Радиоэлектроника - Скачать бесплатно

Исходные данные к циклу лабораторных работ
Назначение МЭА: контрольно-измерительная.
Условие эксплуатации: бортовые, самолетные.
Максимальная температура окружающей Среды: 400 С.
Сложность электрической схемы в  эквивалентных  усилителях  и/или  вентилях:
5000
Тип схемы  аналогово-цифровая.  Средний  коэффициент  объединения  по  входу
одного вентиля  к1=2.
Уровень интеграции микросхем, Jc=75.
Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы  с  размерами
кристаллов Iкр х Вкр=2х2  мм;  уровень  интеграции  кристалла  Jк=5;  выводы
кристаллов – гибкие.
Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79.
Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний.
Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная.
Вариант конструкции блока МЭА: Книжная.
Техническая долговечность: 5 лет.
Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90.
Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3.
Серийность производства МЭА: 100.
                Постановка задачи разработки конструкции МЭУ
Необходимо разработать принципиальный вариант  конструкции  МЭУ,  исходя  из
определенных условий. В качестве исходных, используются следующие данные:

В качестве исходных используются следующие данные:
длина кристалла: lк=2 мм;
ширина кристалла: Bк=2 мм;
уровень интеграции кристалла: Jк=5;
уровень интеграции МЭУ: Jc=75;
минимальное допустимое расстояние от края кристалла до контактной  площадки:
с=0,4мм;
сторона квадрата контактной площадки: а=0,25 мм;
минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм;
минимальная ширина пленочного соединительного провода: а1=0,1 мм.
                         Алгоритм проектирование МЭУ
  Этапы разработки
|                                                       |                 |
|Проектирование посадочного места навесного элемента    |Синтез           |



|                                                       |                 |
|Определение числа рядов и столбцов посадочных мест     |Анализ           |



|                                                       |                 |
|Определение минимальных шагов установки навесных       |Принятие решения |
|элементов                                              |                 |



|                                                       |                 |
|Выбор размеров подложки и типов корпусов               |Принятие решения |



|                                                       |                 |
|Уточнение размеров подложки и типа корпуса             |Анализ           |


          Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ)
Исходные данные:
l=2 мм, длина навесного элемента;
c=0,4 мм, расстояние между НЭ и выводами;
а=0,25 мм, длина контактной площадки под выводы;
b=2 мм,  ширина НЭ;
a1=0.1 мм, расстояние между выводами;
u=0,25 мм, ширина контактной площадки под выводы;
Мк=5, количество задействованных выводов НЭ.
Результаты:
Мкв=32, максимальное количество контактных площадок под выводы вокруг
кристалла;
Lов =3,3 мм, длина посадочного места кристалла;
Bов=3,3 мм, ширина посадочного места кристалла.

В приложении 1 приведен эскиз посадочного места кристалла с гибкими
выводами
             Определение числа рядов и столбцов посадочных мест
Исходные данные:
Nк =15, число НЭ на подложке.
Результаты:
Mx=3, количество горизонтальных рядов кристаллов на плате;
My=5, количество вертикальных столбцов.
  Определение минимальных шагов установки навесных элементов
Исходные данные:
d1=0,1 мм, минимальная ширина  пленочного соединительного провода.
Результаты:
hxmin=3,6, минимальный шаг установки по горизонтали кристаллов;
hymin=3,6, минимальный шаг установки по вертикали;
M1=67, число проводников в первом слое;
M2=13, число проводников во втором слое;
M1L=34, число вертикальных линий, на которых группируются проводники
первого слоя;
M2L = 17, число горизонтальных линий, на которых группируются проводники
второго слоя.
               Выбор размеров подложки и типов корпусов МкСБ.
Принятие решения: выводы  микросборки  располагаются  вдоль  больших  сторон
МкСБ.
Исходные данные:
d1 = 1мм. ,  размер технологической зоны.
Mмс = [pic], кол-во задействованных выводов МЭУ.
Результаты:
Lmin = 18,3 мм. , длина подложки;
Bmin = 15,83 мм. , ширина подложки.
По критериям  Lmin( L и Bmin( B выбираем корпус МЭУ:
|        |   |        |               |Максим.   |Разм.полезно|Масса|
|Наимено-|Тип|Выводы  |Габаритн.      |шаг       |й           |,    |
|        |   |        |разм.,         |уста-новки|внутр.полост|г    |
|вание   |кор|        |мм             |, мм      |и,          |     |
|        |-  |        |               |          |мм          |     |


 корпуса |пуса |тип |кол. |lx |ly |lz |lx1 |ly1 |l |в |z |G | |155.15-1 |МС
|ШТ |14 |29,5 |19,5  |5,0  |40,0  |25,0  |25,0  |15,0  |2,0  |5,0  |  |МС  —
металлостеклянный;
ШТ — штыревые;
   2. Уточнение размеров подложки и типа корпуса.
Исходные данные:
h = 0,1мм. ,  шаг  координатной  сетки  топологии  коммутационной  пленочной
платы.
Результаты:
Lmin=14,7мм. , длина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;
Bmin= 6,8мм. , ширина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;
Мкс=13, кол- во задействованных выводов МЭУ.
Корпус: 155.15-1 , выбранный корпус.
                            4. Выводы по работе:
В данной работе было спроектировано  посадочное  место  навесного  элемента,
определено  число  рядов  и  столбцов  посадочных  мест,  минимальных  шагов
установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов  микросборки
и тип корпуса МЭУ.

-----------------------

                                    МГАПИ

                             Лабораторная работа

    Группа                                                      ПР-7
    Специальность                                         2008
    Студент

                                      .