Конструирование ЭВС - Радиоэлектроника - Скачать бесплатно
Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции
и ордена Трудового Красного Знамени
государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
Курсовой проект
по курсу “Конструирование ЭВС”
студент: Вилинский Д.
группа ИУ4-92
консультант: Шахнов В( А(
Москва
1997
ОГЛАВЛЕНИЕ
|Техническое |3 |
|задание............................................................| |
|............. |4 |
| | |
|Подбор элементной |5 |
|базы...............................................................| |
|... |13 |
| | |
|Расчет теплового режима |13 |
|блока....................................................... | |
| |14 |
|Расчет массы | |
|блока..............................................................|16 |
|............ | |
| |18 |
|Расчет собственной частоты | |
|ПП...................................................... | |
| | |
|Расчет схемы | |
|амортизации........................................................| |
|...... | |
| | |
|Расчет надежности по внезапным | |
|отказам...................................... | |
| | |
|Литература.........................................................| |
|............................... | |
| | |
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
1( Назначение аппаратуры(
Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для
установки в управляемый снаряд( Функционально блок предназначен для свертки
сигнала принимаемого бортовой РЛС(
2( Технические требования(
а) условия эксплуатации(
- температура среды tо=30 оC(
- давление p = 1(33 ( 104 Па(
б) механические нагрузки(
- перегрузки в заданном диапазоне
f, Гц |10 |30 |50 |100 |500 |1000 | |g |5 |8 |12 |20 |25 |30 | | -
удары u = 50 g(
в) требования по надежности(
- вероятность безотказной работы P(0.033) ( 0.8(
3( Конструкционные требования(
а) элементная база - микросхемы серии К176 с КМДП логикой(
б) мощность в блоке P ( 27 Вт(
в) масса блока m ( 50 кг(
г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71(
д) тип амортизатора АД -15(
е) условия охлаждения - естественная конвекция(
ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ
Поскольку проектируемый электронно-вычислительный блок является
бортовой аппаратурой( то к нему предъявляются следующие требования(
высокая надежность(
высокая помехозащищенность(
малая потребляемая мощность(
Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы
на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры(
Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наиболее
перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет
десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-
транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей
помехоустойчивостью: 40...45 % от напряжения источника питания.
Отличительная особенность ЦИС на КМДП-транзисторах - также высокая
эффективность использования источника питания: перепад выходного напряжения
элемента почти равен напряжению источника питания. Такие ЦИС не
чувствительны к изменениям напряжения питания. В элементах на КМДП-
транзисторах полярности и уровни входных и выходных напряжений совпадают,
что позволяет использовать непосредственные связи между элементами. Кроме
того( в статическом режиме их потребляемая мощность практически равна нулю(
Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики(
дополняющие МОП-структуры)( Конкретно были выбраны две микросхемы(
К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ(
К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ(
|Параметр |К176ЛЕ5 |К176ЛА7 |
|Входной ток в состоянии “0”( Iвх0( мкА( не |-0(1 |-0.1 |
|менее | | |
|Входной ток в состоянии “1”( Iвх1( мкА( не |0(1 |0.1 |
|более | | |
|Выходное напряжение “0”( Uвых0( В( не более |0(3 |0.3 |
|Выходное напряжение “1”( Uвых1( В( не менее |8(2 |8.2 |
|Ток потребления в состоянии “0”( Iпот0( мкА( |0(3 |0.3 |
|не более | | |
|Ток потребления в состоянии “1”( Iпот1( мкА( |0(3 |0.3 |
|не более | | |
|Время задержки распространения сигнала при |200 |200 |
|включении tзд р1(0( нс( не более | | |
|Время задержки распространения сигнала при |200 |200 |
|включении tзд р0(1( нс( не более | | |
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
|Напряжение источника питания( В |5 - 10 В |
|Нагрузочная способность на логическую микросхему( не |50 |
|более | |
|Выходной ток Iвых0 и Iвых1( мА( не более |0(5 |
|Помехоустойчивость( В |0(9 |
РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА БЛОКА
Исходные данные(
|Размеры блока( |L1=250 мм L2=180 мм L3=90 мм |
|Размеры нагретой зоны( |a1=234 мм a2=170 мм a3=80 мм |
|Зазоры между нагретой зоной и корпусом|hн=hв=5 мм |
|Площадь перфорационных отверстий |Sп=0 мм2 |
|Мощность одной ИС |Pис=0,001 Вт |
|Температура окружающей среды |tо=30 оC |
|Тип корпуса |Дюраль |
|Давление воздуха |p = 1(33 ( 104 Па |
|Материал ПП |Стеклотекстолит |
|Толщина ПП |hпп = 2 мм |
|Размеры ИС |с1 = 19(5 мм с2 = 6 мм c3 = 4 |
| |мм |
Этап 1( Определение температуры корпуса
1( Рассчитываем удельную поверхностную мощность корпуса блока qк(
[pic]где P0 - мощность рассеиваемая блоком в виде теплоты(
Sк - площадь внешней поверхности блока(
Для осуществления реального расчета примем P0=20 Вт, тогда
[pic]
2( По графику из [1] задаемся перегревом корпуса в первом приближении
(tк= 10 оС(
3( Определяем коэффициент лучеиспускания для верхней (л(в, боковой (л(б
и нижней (л(н поверхностей корпуса(
[pic]
Так как ( для всех поверхностей одинакова и равна (=0(39 то(
[pic]
4( Для определяющей температуры tm = t0 + 0.5 (tk = 30 + 0.5 10 =35 oC
рассчитываем число Грасгофа Gr для каждой поверхности корпуса
[pic]
где Lопр i - определяющий размер i-ой поверхности корпуса(
g - ускорение свободного падения(
(m - кинетическая вязкость газа, для воздуха определяется из
таблицы 4(10 [1] и равна (m=16(48 ( 10-6 м2/с
[pic]
5( Определяем число Прандталя Pr из таблицы 4(10 [1] для определяющей
температуры tm, Pr = 0.7(
6( Находим режим движения газа, обтекающих каждую поверхность корпуса(
5 ( 106 < Grн Pr = Grв Pr = 1(831 (0(7 ( 107 = 1(282 ( 107 < 2 ( 107
следовательно режим ламинарный
Grб Pr = 6(832 (0(7 ( 106 = 4(782 ( 106 < 5 ( 106 следовательно режим
переходный к ламинарному(
7( Рассчитываем коэффициент теплообмена конвекцией для каждой
поверхности блока (k(i(
[pic]
где (m - теплопроводность газа, для воздуха (m определяем из таблицы
4(10 [1] (m = 0(0272 Вт/(м К)(
Ni - коэффициент учитывающий ориентацию поверхности корпуса( Ni =
0.7 для нижней поверхности( Ni = 1 для боковой поверхности( Ni = 1(3 для
верхней поверхности(
8( Определяем тепловую проводимость между поверхностью корпуса и
окружающей средой (к(
[pic]
9( Рассчитываем перегрев корпуса блока РЭА во втором приближении
(tк(о(
[pic]
где Кк(п - коэффициент зависящий от коэффициента корпуса блока( Так как
блок является герметичным, следовательно Кк(п = 1(
Кн1 - коэффициент, учитывающий атмосферное давление окружающей среды
берется из графика рис( 4(12 [1], Кн1 = 1(
10( Определяем ошибку расчета
[pic]
Так как (=0(332 > [(]=0.1 проводим повторный расчет скорректировав
(tк= 15 оС(
11( После повторного расчета получаем (tк,о= 15,8 оС, и следовательно
ошибка расчета будет равна
[pic]
Такая ошибка нас вполне устраивает (=0(053 < [(]=0.1
12( Рассчитываем температуру корпуса блока
[pic]
Этап 2( Определение среднеповерхностной температуры нагретой зоны
1( Вычисляем условную удельную поверхностную мощность нагретой зоны
блока qз(
[pic]
где Pз - мощность рассеиваемая в нагретой зоне, Pз = 20 Вт.
2( По графику из [1] находим в первом приближении перегрев нагретой
зоны (tз= 18 оС(
3( Определяем коэффициент теплообмена излучением между нижними (з(л(н,
верхними (з(л(в и боковыми (з(л(б поверхностями нагретой зоны и корпуса(
Для начала определим приведенную степень черноты i-ой поверхности
нагретой зоны (пi (
[pic]
где (зi и Sзi - степень черноты и площадь поверхности нагретой зоны,
(зi = 0(92 (для всех поверхностей так как материал ПП одинаковай)(
Так как приведенная степень черноты для разных поверхностей почти
одинаковая, то мы можем принять ее равной (п = 0(405 и тогда
[pic]
4( Для определяющей температуры tm = 0(5 (tк + t0 + (tk) = 0(5 (45 + 30
+ 17 =46 oC и определяющего размере hi рассчитываем число Грасгофа Gr для
каждой поверхности корпуса
[pic]
где Lопр i - определяющий размер i-ой поверхности корпуса(
g - ускорение свободного падения(
(m - кинетическая вязкость газа, для воздуха определяется из
таблицы 4(10 [1] и равна (m=17(48 ( 10-6 м2/с
[pic]
Определяем число Прандталя Pr из таблицы 4(10 [1] для определяющей
температуры tm, Pr = 0.698(
Grн Pr = Grв Pr = 213(654 ( 0(698 = 149(13
Grб Pr = 875(128 ( 0(698 = 610(839
5( Рассчитаем коэффициент коэффициенты конвективного теплообмена между
нагретой зоной и корпусом для каждой поверхности(
для нижней и верхней
[pic]
для боковой поверхности
[pic]
где (m - теплопроводность газа, для воздуха (m определяем из таблицы
4(10 [1] (m = 0(0281 Вт/(м К)(
6( Определяем тепловую проводимость между нагретой зоной и корпусом(
[pic]
где ( - удельная тепловая проводимость от модулей к корпусу блока, при
отсутствии прижима ( = 240 Вт/(м2 К)(
S( - площадь контакта рамки модуля с корпусом блока(
К( - коэффициент учитывающий кондуктивный теплообмен
[pic]
В результате получаем(
[pic]
7( Рассчитываем нагрев нагретой зоны (tз(о во втором приближении
[pic]
где Кw - коэффициент, учитывающий внутреннее перемешивание воздуха,
зависит от производительности вентилятора, Кw = 1(
Кн2 - коэффициент, учитывающий давление воздуха внутри блока, Кн2 =
1(3(
8( Определяем ошибку расчета
[pic]
Такая ошибка нас вполне устраивает (=0(053 < [(]=0.1(
9( Рассчитываем температуру нагретой зоны
[pic]
Этап 3( Расчет температуры поверхности элемента
1( Определяем эквивалентный коэффициент теплопроводности модуля, в
котором расположена микросхема( Для нашего случая, когда отсутствуют
теплопроводные шины (экв = (п = 0.3 Вт/(м К) , где (п - теплопроводность
материала основания печатной платы(
2( Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхем(
[pic]
где S0ИС - площадь основания микросхемы, S0ИС = 0(0195 ( 0(006 =
0(000117 м2
3( Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока
[pic]
где (1 и (2 - коэффициенты обмена с 1-й и 2-й стороной ПП( для
естественного теплообмена (1 + (2 = 18 Вт/(м2 К)(
hпп - толщина ПП(
4( Определяем искомый перегрев поверхности корпуса микросхемы для ИМС
номер 13 находящейся в середине ПП и поэтому работающей в наихудшем
тепловом режиме(
[pic]
где В и М - условные величины, введенные для упрощения формы записи,
при одностороннем расположении корпусов микросхем на ПП В = 8(5 ( R2 Вт/К,
М = 2(
к - эмпирический коэффициент( для корпусов микросхем, центр которых
отстоит от концов ПП на расстоянии менее 3R, к = 1.14( для корпусов
микросхем, центр которых отстоит от концов ПП на расстоянии более 3R, к =
1(
к( - коэффициент теплоотдачи от корпусов микросхем определяется по
графика (рис( 4(17) [1] и для нашего случая к( = 12 Вт/(м2 К)(
Ni - число i-х корпусов микросхем( расположенный вокруг корпуса
рассчитываемой микросхемы на расстоянии не более ri < 10/m = 0.06 м, для
нашей ПП Ni = 24(
К1 и К0 - модифицированные функции Бесселя, результат расчета которых
представлен ниже(
[pic]
(tв - среднеобъемный перегрев воздуха в блоке(
[pic]
QИСi - мощность, рассеиваемая i-й микросхемой, в нашем случае для всех
одинаковая и равна 0(001 Вт(
SИСi - суммарная площадь поверхностей i-й микросхемs, в нашем случае
для всех одинаковая и равна SИСi = 2 (с1 ( с2 + с1 ( с3 + с2 ( с3) = 2
(19(5 ( 6 + 19.5 ( 4 + 6 ( 4) = 438 мм2 = 0(000438 м2(
(зi - зазор между микросхемой и ПП, (зi = 0(
|
