23.05 18:10Николь Ричи наградили за ее родительские качества[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 18:02Наоми Кэмпбелл отпраздновала 38-й день рождения[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:25Серегу избили хулиганы[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:24У Сергея Зверева украли стринги[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 17:12Режиссер Сергей Соловьев госпитализирован[Film.Ru]
23.05 16:31Объявлены члены жюри конкурса ММКФ "Перспективы"[Film.Ru]
23.05 16:06Одесская киностудия снимает детективную мелодраму "Героиня своего романа" [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:04Топ-50 самых красивых мужчин мира: украинец - второй[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:03Лорак едва не осталась на "Евровидении" без платья[УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
23.05 16:00Ани Лорак вышла в финал "Евровидения-2008". [УКРАИНСКИЙ МУЗЫКАЛЬНЫЙ ПОРТАЛ]
Время - это:
Результат
Архив

Главная / Предметы / Радиоэлектроника / История развития криоэлектроники


История развития криоэлектроники - Радиоэлектроника - Скачать бесплатно


Министерство общего и профессионального образования
                            Российской Федерации
             Ангарский Государственный Технологический Институт
                      Факультет технической кибернетики
          Кафедра промышленной электроники и вычислительной техники



                            Реферат   на  тему:


           История развития


                               криоэлектроники



                                                                   Выполнил:
                                                        Студенты гр. ПЭ-99-3
                                                      Ф.И.О. Шереметьев А.Н.
                                                                Козьмин Ю.Г.
                                                         студент гр. ПЭ-99-2
                                                                Кузьмин А.А.

                                                                    Приняла:
                                                              Терлецкая Л.А.
                                 Ангарск  1999 г.



                                    План:


                                                                     стр.
1. Введение                                                  3

2.  Часть 1

         Исторические аспекты криоэлектроники                            4
3.  Часть 2
       Основные направления криоэлектроники                        7

4.  Часть 3


       Микроэлектроника и холод                                    13


    Перспективы применения структур на основе контак-
    тов сверхпроводников с полупроводниками в криоген-
    ной микроэлектронике                                              15



5.  Заключение


     Новые проблемы и пути их решения                                 17


6.   Вывод                                                         20
7.   Приложение                                                    21
8.   Список литературы                                             26



  1. Введение

    Криогенная(от греческого "криос"  -  холод,  мороз)   электроника,  или
  криоэлектроника,
  направление  электроники,  охватывающее   исследование   при   криогенных
  температурах  (ниже  120  К  )  специфических   эффектов   взаимодействия
  электромагнитного поля с носителями зарядов в  твердом  теле  и  создание
  электронных приборов и устройств, работающих на основе этих  эффектов,  -
  криоэлектронных приборов.
    Криоэлектроника - одна из  основных  и  весьма  перспективных  отраслей
  науки. Её интенсивному развитию способствовали, с одной стороны,  широкие
  исследования  явлений,   происходящих   в   твёрдом   теле   при   низких
  температурах,  и  практическое  применение   полученных   результатов   в
  различных отраслях  радиоэлектроники  (в  первую  очередь  в  космической
  радиоэлектронике), а  с  другой   -  определенные  достижения  криогенной
  техники, позволившие на  основании  как  новых,  так  и  ранее  известных
  принципов разработать  экономичные,  малогабаритные  и  надежные  системы
  охлаждения.
    Значительным стимулом к развитию криоэлектроники послужило также  и  то
  немаловажное обстоятельство, что  при  создании  современных  электронных
  устройств    -     высокочувствительной     радиоприемной     аппаратуры,
  быстродействующих электронных вычислительных машин и др.  -  конструкторы
  подошли буквально к пределу возможностей радиоэлектроники,  принципиально
  достижимому  в  обычном  интервале   температур.   Использование   низких
  температур позволяет преодолеть это препятствие и открывает новые пути  в
  разработке радиоэлектронных систем.
    Во-первых, глубокое  охлаждение  способствует  значительному  улучшению
  технических  и  экономических  параметров  радиоэлектронных  устройств  -
  преимущества компактных сверхпроводящих  запоминающих  устройств  большой
  емкости и быстродействия  для  ЭВМ,  сверхпроводящих  магнитов  и  другой
  аппаратуры  неоспоримы.  Во-вторых,  возникающие  в  условиях   глубокого
  охлаждения явления, которые присущи  только  такому  состоянию  вещества,
  позволяют создавать принципиально новые приборы.  Именно  так,  например,
  был сконструирован мазер, успешно  используемый  в  спутниковых  системах
  связи, радиоастрономии и т.д.
     Криоэлектроника   изучает   особенности   поведения   радиоэлектронных
  компонентов и материалов при очень низких температурах  (  0-20  К  ),  в
  частности такие необычные явления, как сверхпроводимость.
     Для  работ  в  области  криоэлектроники  характерен   большой   размах
  лабораторных исследований. Показательными  являются  работы  по  созданию
  сверхпроводящих  накопителей  энергии  большой  ёмкости.  Предназначенные
  первоначально для пузырьковых камер, сверхпроводящие  накопители  энергии
  также успешно применяются  в  качестве  генераторов  накачки  для  мощных
  лазеров и другой радиотехнической аппаратуры. Выходят из стен лабораторий
  сверхпроводящие линии  задержки  различного  назначения,  криоэлектронные
  запоминающие устройства, охлаждаемые усилители и т. д.
     Поскольку  криоэлектроника  возникла  на  стыке  нескольких  различных
  научных направлений, первые публикации в  этой  области  были  связаны  с
  традиционными направлениями. Однако уже  с  начала  60-х  годов  начинают
  появляться специальные издания, целиком посвященные криоэлектронике[1], и
  первые монографии[2].


  Часть 1


  Исторические аспекты криоэлектроники


    Вопрос о минимально  возможной  температуре  впервые  привлек  внимание
  исследователей еще  около  ста  лет  назад.  Ныне  охлаждение  до  низких
  температур широко используется на практике в различного рода  устройствах
  и системах, особенно в радиоэлектронной аппаратуре. Это  стало  возможным
  благодаря успешному решению проблемы сжижения газов.
    Хотя многие газы сжижаются сравнительно легко, первоначально считалось,
  что некоторые газообразные вещества при  любых  условиях  сохраняют  свое
  состояние неизменным. Однако во второй половине XIX  в.  ученые  добились
  определенных  успехов  в  исследовании  проблемы  перехода   веществ   из
  газообразного состояния в жидкое.  В  частности,  было  установлено.  что
  каждый  газ  характеризуется  некоторой  критической  температурой,  выше
  которой его невозможно сжижать только путем повышения давления. В 1898 г.
  впервые был получен жидкий газ (водород), а в 1908 г.  голландский  физик
  Камерлинг-Оннес осуществил сжижение гелия, завершив тем самым первый этап
  работ по сжижению газов.
     В  последующие   десятилетия   началось   быстрое   развитие   методов
  использования    новых    криогенных    жидкостей-сжиженных    газов    в
  фундаментальных научных исследованиях в промышленности.  От  лабораторных
  экспериментов,   которые,   кстати,   привели    к    открытию    явления
  сверхпроводимости, перешли к производству сжиженных газов в  промышленных
  масштабах. Их стали выпускать тоннами из смесей газов,  например  воздуха
  (разделяя его на состовляющие,—кислород, азот и инертные газы).
  Чисто  научный  интерес  и   потребности   промышленности   стимулировали
  исследования  физических  свойств  материалов  при  глубоком  охлаждении.
  Такого рода исследования оказались особенно важными для радиоэлектроники,
  где в  40—50-х  годах  появилось  много  новых  материалов,  в  частности
  полупроводников.   Десятилетием    позже    интерес    специалистов    по
  радиоэлектронике к использованию криогенных жидкостей еще более возрос. С
  их  помощью   удалось   улучшить   параметры   (в   частности,   повысить
  чувствительность) обычных радиотехнических схем и  создать  принципиально
  новые радиоэлектронные устройства, например мазер.
    Наиболее распространенные охлаждающие агенты (криогены) при  нормальном
  атмосферном давлении имеют следующие температуры кипения: He – 4K; H-20К;
  N—77 К; О—90 К; CO2 – 195K (симблирует)[3].
     Четкого  и  однозначного  определения  интервала  криогенных  (низких)
  температур нет, но чаще всего его ограничивают  областью,  простирающейся
  примерно от 100 К до абсолютного пуля  (0  К).  Иногда  особо  выделяется
  интервал 20 – 0 K, называемый  интервалом  гиперкриогенных  (сверхнизких)
  температур.    Большинство    криогенных    систем,    используемых     в
  радиоэлектронике, работает при  нормальной  температуре  кипения  жидкого
  гелия, то есть приблизительно при 4 К.
    Одной из важненейших проблем современной электроники считается проблема
  уменьшения степени неупорядоченности структуры вещества.  Для  этой  цели
  применяется глубокое охлаждение.
    Материалы, применяемые в электронике, обычно оценивают с  точки  зрения
  упорядоченности    их    химической    (чистоты)     и     геометрической
  (кристаллической) структуры,  а  также  упорядоченности  движения  частиц
  вещества (температуры). Любые факторы, вызывающие отклонения  в  движении
  носителей заряда между двумя точками, уменьшают  эффективную  силу  тока.
  Всякого рода неупорядоченность структуры способствует таким  отклонениям,
  увеличивая тем самым  электрическое  сопротивление  материала. В  сложных
  электронных системах требуется, чтобы электрический сигнал заданной формы
  проходил через материал без искажения. Однако неупорядоченность структуры
  материала приводит к уменьшению амплитуды сигнала и изменению его  формы,
  так  как  ее  влияние  носит  случайный   характер.   Например,   плавное
  синусоидальное колебание становится искаженным,  неровным,  и  в  системе
  возникают нежелательные сигналы (помехи).
    Посмотрим, как различные типы  неупорядоченности  структуры  проводника
  влияют на его удельное сопротивление.
     Нарушения  химической  структуры,  обусловленного  присутствием   даже
  незначительного количества примеси, достаточно, чтобы  заметно  увеличить
  удельное сопротивление металлического проводника. Так, добавление к  меди
  0,1% фосфора приводит к уменьшению ее проводимости примерно на 50%, тогда
  как  введение  1%  кадмия  (для  получения  сплава  большей  механической
  прочности) уменьшает его проводимость лишь немногим более чем на 10%.
    В химически чистом  материале  геометрический  порядок  его  внутренней
  структуры может быть нарушен за счет остаточных напряжений  (деформаций),
  возникших при механической обработке.  Поэтому  после  холодной  протяжки
  удельное сопротивление меди обычно  возрастает  на  несколько  процентов.
  Подобные нарушения физической упорядоченности, обусловленные  остаточными
  напряжениями, можно устранить или по крайней мере уменьшить путем  отжига
  материала.  Влияние  различных   типов   геометрической   упорядоченности
  особенно заметно в  несимметричных  кристаллах,  например  в  цинке,  где
  различие в  удельном  сопротивлении  для  двух  взаимно  перпендикулярных
  направлений в кристаллической решетке достигает 4%.
     Взаимосвязь  химической  и  геометрической  упорядоченности  мы  можем
  наблюдать в экспериментах  но  получению  сплавов  меди  с  золотом.  При
  увеличении концентрации золота  удельное  сопротивление  случайной  смеси
  возрастает.  Но  если  случайную  смесь.  содержащую  около  25%  золота,
  отжигать в течение продолжительного времени, то обнаруживается  тенденция
  к перегруппировке атомов в упорядоченную структуру сплава Cu3Au. Удельное
  сопротивление резко падает, хотя и остается выше, чем у чистой меди
     Говоря  о   криоэлектронике,   основное   внимание   следует   уделить
  кинетической упорядоченности (упорядоченности движения) частиц,  так  как
  понижение температуры обычно позволяет  свести  эту  неупорядоченность  к
  минимуму.  В  проводнике  кинетический  беспорядок  связан  со  случайным
  движением свободных электронов, а в  любом  твердом  теле  он  обусловлен
  тепловыми  колебаниями  атомов  в  кристаллической  решетке.  При  низких
  температурах оба типа неупорядоченности значительно уменьшаются.
    В некотором отношении тепловое колебание атомов в  твердом  теле  можно
  рассматривать  как  своеобразное   нарушение   геометрического   порядка,
  поскольку  в  результате  таких  колебаний  нарушается   регулярный   шаг
  кристаллической решетки. Как показал де Бройль,  движению  каждого  атома
  кристаллической решетки можно приписать определенные  волновые  свойства.
  Таким  образом,  в  любом  твердом   теле   существуют   упругие   волны,
  распространяющиеся со скоростью звука. Эти волны представляют  собой  как
  бы локализованные,  сосредоточенные  пакеты  (кванты)  тепловой  энергии,
  подобно   тому   как    фотоны    являются    локализованными    пакетами
  электромагнитной энергии. Кванты тепловой  энергии  называются  фононами;
  как и фотон, каждый фонон характеризуется  энергией  hf  (где  f—частота,
  соответствующая длине волны фонона) и количеством движения (импульсом). В
  определенных случаях фонон удобно рассматривать как частицу.
    Таким образом, можно  считать,  что  твердое  тело  содержит  хаотично,
  беспорядочно перемещающиеся фононы различных энергий, которые соударяются
  с подвижными носителями заряда, создающими в материале электрический ток.
  При понижении температуры число таких фононов в материале  уменьшается  и
  поэтому его удельное  сопротивление  падает.  Фононы  играют  в  веществе
  определенную положительную  роль:  в  процессе  рекомбинации  электронно-
  дырочной пары они обеспечивают сохранение количества движения,  благодаря
  чему становится возможным процесс рекомбинационной люминесценции.
    Полупроводники, используемые в электронике, обычно имеют очень  высокую
  степень химической (а  часто  также  и  геометрической)  упорядоченности.
  Низкая температура позволяет значительно уменьшить  в  них  нежелательный
  собственный ток, но для ионизации атомов  и,  следовательно,  образования
  свободных носителей,  как  правило,  необходимо  определенное  количество
  тепловой энергии. Точно так же, чтобы свести к минимуму шумы  электронной
  лампы (то есть обеспечить беспрепятственное движение электронов от катода
  к аноду), необходимо обеспечить надлежащую  геометрию  проводников  в  ее
  управляющих сетках. Но в то же время  общеизвестно,  что  для  нормальной
  работы лампы катод должен быть разогрет до высокой температуры, а  потому
  ток    эмиссии    характеризуется    высокой    степенью     кинетической
  неупорядоченности, которая и обусловливает шумы.
     Однако  наиболее  интересные   и   потенциально   важные   особенности
  радиоэлектроники низких  температур  сводятся  к  исключительным,  тонким
  ситуациям,  которые  возникают  только  тогда,  когда   неупорядоченность
  обычных типов сведена к минимуму.
    В  сверхпроводниках  между  парами  электронов  существует  особый  вид
  упорядоченности,  благодаря  этому  сопротивление  материала   становится
  равным  нулю  и  внутри  него  не  возникает  магнитного  поля.  Но  если
  температура   материала   достаточно   высока,   фононы   разрушают   эти
  упорядоченные  пары  электронов  и  сверхпроводящее  состояние  исчезает.
  Аналогичным  образом  упорядоченное  состояние  нарушается   и   материал
  возвращается в нормальное состояние и тогда,  когда  плотность  тока  или
  напряженность внешнего магнитного поля превысит критическое значение.
    В мазере особая форма упорядоченности проявляется в том, что  на  более
  высоком из  двух  энергетических  уровней  находится  значительно  больше
  атомов, чем на более низком. Однако  эта  неустойчивая  форма  равновесия
  быстро нарушается из-за  тепловой  неупорядоченности,  после  чего  вновь
  восстанавливается   нормальное   равновесное   состояние,   при   котором
  преобладают атомы с низкими энергиями. Требуемое состояние  неустойчивого
  равновесия можно обеспечить лишь путем подачи в  систему  энергии  извне,
  причём  количество этой энергии тем меньше, чем ниже температура.
    Принципы, на которых основываются сверхпроводящие и  лазерные  системы,
  известны более полувека, но только в последние десятилетия  они  получили
  широкое техническое развитие. Мазер использовался в современных  системах
  радиосвязи, был достигнут  значительный  прогресс  в  области  применения
  сверхпроводников в различных  радиоэлектронных  системах  и  устройствах:
  больших электронно-вычислительных машинах,  крупных  электродвигателях  и
  генераторах,   электромагнитах,   трансформаторах   и   линиях    передач
  электроэнергии. Открытия , вроде эффекта Джозефсона[4], также нашли  своё
  применение в области очень низких температур, где беспорядочные  тепловые
  возмущения  настолько  малы,  что  становится   возможным   наблюдать   и
  использовать весьма тонкие, едва уловимые явления.
    В последние десятилетия все  шире  развертывались  работы  по  созданию
  новых электронных приборов и  сложных  систем,  основанных  на  свойствах
  твердого тела при криогенных температурах. Этому способствуют  не  только
  успехи в физике низких температур и технике глубокого  охлаждения,  но  и
  появление  новых  проблем,  которые   не   решаются   другими   методами.
  Криоэлектроника  охватывает  широкий  круг  вопросов:  от  взаимодействия
  электромагнитных волн с твердым телом  при  сильном  ослаблении  тепловых
  колебаний решетки до методов охлаждения и конструирования криоэлектронных
  автономных приборов с корпусом-криостатом.



  Часть 2

  Основные направления криоэлектроники


    Каждое новое направление в науке и технике имеет свою историю развития.
  Есть своя история и у криоэлектроники, которая с первых же шагов  открыла
  пути создания принципиально новых приборов. Явления физики твердого  тела
  при низких температурах, дающих доступ к  глубинным  квантовым  свойствам
  вещества в  конденсированном  состоянии,  совместно  с  явлениями  физики
  низких  температур,  выделившейся  в  самостоятельную  науку,   составили
  научную базу криоэлектроники. Хотя слово «криос» означает просто «холод»,
  криогенными принято считать лишь те  температуры,  при  которых  тепловые
  колебания решетки вещества сильно  ослабляются  и  в  веществах  начинают
  проявляться дальний порядок и эффекты, замаскированные тепловым движением
  частиц при обычных температурах. Это и приводит, в конечном счете, к  тем
  удивительным особенностям сверхпроводников, в которых  квантовые  эффекты
  проявляются  в  макроскопических  масштабах,  а  также  к   целому   ряду
  качественно  новых  явлений  и  эффектов  в  других  материалах.  Область
  криогенных температур, при которых четыре газа  (азот,  неон,  водород  и
  гелий) превращаются в криогенные жидкости,  можно  условно  разделить  на
  четыре температурные зоны: азотную (80 К), неоновую  (27  К),  водородную
  (20 К) и гелиевую (~ 4,2 К) Температуры много ниже точки кипения  жидкого
  гелия выделялись в отдельную  область  «сверхнизких»  температур,  причем
  многие эффекты в твердом теле являются характерными только для этой, пока
  еще экзотической области.
    Если попытаться свести в одну таблицу некоторые свойства  диэлектриков,
  полупроводников, полуметаллов, бесщелевых и  узкозонных  полупроводников,
  нормальных  металлов  и   сверхпроводников,   которые   наблюдаются   при
  криогенных температурах, то эта условная таблица имеет следующий  вид[5].
  В таблицу включены в основном свойства,  на  основе  которых  начато  или
  ожидается создание принципиально новых криоэлектронных  приборов.  Весьма
  внушительным будет перечень новых  открытий  и  эффектов  при  криогенных
  температурах, на основе которых еще не  создан  ни  один  прибор,  но  их
  реализация в электронике может дать много полезного и неожиданного.
    Конечно, порой трудно провести четкую границу между низкотемпературными
  и высокотемпературными явлениями в отдельных материалах, поэтому в  таких
  случаях в табл. №1 подразумеваются те материалы, которые  без  охлаждения
  практически неприменимы (полуметаллы, узкозонные полупроводники  и  др.).
  Принцип   построения   табл.   №   1   подсказывает   принципы    деления
  криоэлектроники  на  направления  в  соответствии  с  типом  применяемого
  материала:  например,  сверхпроводниковая  криоэлектронника   на   основе
  сверхпроводников, полупроводниковая криоэлектроника на основе охлажденных
  полупроводников  и  полуметаллов  и  т.   д.   Так   это   произошло   со
  сверхпроводниковыми приборами, как бы обособившимися от приборов на  базе
  других материалов в  силу  фундаментальности  явления  сверхпроводимости.
  Однако возможен и другой принцип, пробивающий себе дорогу: по выполняемым
  криоэлектронными   приборами   функциям,   по   диапазонам   частот,   по
  технологическим методам, положенным в основу изготовления прибора.
    Все криоэлектронные приборы в зависимости  от  температуры  охлаждения,
  применяемых материалов и явлений в них могут быть  разделены  на  изделия
  (приборы)  азотного,   неонового,   водородного   и   гелиевого   уровней
  охлаждения. Уровень охлаждения во многом определяет параметры  и  области
  применения криоэлектронных изделий.
    Еще в 40-х годах были предприняты попытки создать высокочувствительные,
  «нешумящие» приемники для индикации  слабого  теплового  излучения  в  ИК
  диапазоне.
    Так, появились угольный болометр, охлаждаемый  до  температуры  жидкого
  гелия, болометр на основе p-Ge, легированного гелием, работающий при 2,15
  К, а затем сверхпроводящий приемный элемент на основе  тонкой  фольги  из
  нитрида ниобия.
    Были созданы первые переключатели  со сверхпроводящим соленоидом.
    В 1954 г. произошло большое событие: Бакк предложил принципиально новый
  электронный прибор и дал ему имя «криотрон». Вслед за  этим  прибором  на
  базе   механизма    возникновения    отрицательного    сопротивления    в
  полупроводниковом кристалле, охлажденном до такой степени, что примеси  в
  нем были «выморожены», был предложен еще один новый прибор — «криосар».
    Проблема использования квантовых резонансных свойств твердого тела  при
  низких  температурах  для  приема  сверхслабых  СВЧ  сигналов  привела  к
  созданию  квантовых   парамагнитных      усилителей   (мазеров).   Мазеры
  появились вскоре после того, как Н. Г. Басов и А. М. Прохоров  предложили
  так  называемый  «трехуровневый    метод»  (метод   «накачки»)   создания
  избыточной населенности верхнего энергетического уровня, необходимый  для
  получения  эффекта    «отрицательного  поглощения»,   а   Н.   Бломберген
  предложил 

назад |  1  | вперед


Назад
 


Новые поступления

Украинский Зеленый Портал Рефератик создан с целью поуляризации украинской культуры и облегчения поиска учебных материалов для украинских школьников, а также студентов и аспирантов украинских ВУЗов. Все материалы, опубликованные на сайте взяты из открытых источников. Однако, следует помнить, что тексты, опубликованных работ в первую очередь принадлежат их авторам. Используя материалы, размещенные на сайте, пожалуйста, давайте ссылку на название публикации и ее автора.

281311062 (руководитель проекта)
401699789 (заказ работ)
© il.lusion,2007г.
Карта сайта
  
  
 
МЕТА - Украина. Рейтинг сайтов Союз образовательных сайтов